R6520KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了器件在复杂工况下的稳定开关特性。得益于碳化硅材料的优异性能，该器件具有出色的耐压能力、较低的开关损耗和良好的高温工作稳定性，可广泛应用于高效电源系统、可再生能源逆变装置及高密度功率模块中，满足对小型化与高能效有要求的电路设计需求。
