BCB120S10D2_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，具备较高的电压阻断能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，有效降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，该器件具有优异的高温稳定性与快速恢复性能，适用于高频率、高效率的电力转换电路。可广泛应用于大功率电源转换系统、可再生能源发电设备及高密度开关电源模块中，满足对热管理与电气性能要求较高的使用环境。
