SICRF10650-HXY_TO-220F-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，具备10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率密度的电力转换设计。其正向导通压降（VF）为1.37V，导通损耗较低，有助于提升能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性，器件可在较高结温下稳定运行，具备快速反向恢复能力和优异的开关性能，常用于高效直流-直流变换器、高频率开关电源模块及紧凑型电源系统，支持系统向小型化与高效率方向发展。
