P3D06004E2_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:4A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为4A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降为1.4V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗，结合碳化硅材料固有的高热导率与高击穿场强特性，可实现高频、高温环境下的稳定运行。器件具备极短的反向恢复时间，显著降低开关损耗，提升系统能效。典型应用包括高效开关电源、通信电源模块、高密度DC-DC转换器及对能效与散热要求较高的电力电子装置。
