IPAN60R125PFD7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:24A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:110mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为110mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的驱动控制。得益于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温工作性能、高开关频率能力及较低的反向恢复电荷，适用于高功率密度与高能效要求的电力电子设计。典型应用涵盖高效电源转换模块、高压直流变换装置及可再生能源发电系统中的功率调节单元。
