IDM05G120C5XTMA1-HXY_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:5A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备5A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降（VF）为1.38V。依托碳化硅材料优势，具备出色的耐高压性能、高温稳定性和极快的开关速度，反向恢复电荷极低。适用于高电压、高效率要求的电源系统，如大功率开关电源、不间断电源、光伏逆变器以及高密度电源模块等，可有效降低开关损耗，提升系统功率密度与整体能效水平。
