NTPF125N65S3H-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:24A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:110mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管，具备650V漏源电压（VDSS）和24A连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，可有效减少功率损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的高耐压与低导通特性，该器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能与热稳定性。适用于高效率电源转换系统，如大功率适配器、服务器电源模块、可再生能源发电单元及高性能逆变设备，尤其适合对散热设计和空间利用率有较高要求的紧凑型电子装置。
