GC4D10120A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.39V。基于碳化硅材料特性，具备优异的高温工作稳定性、快速开关速度和低导通损耗，可有效减少系统热耗散需求。其高耐压能力与较大电流承载性能，适用于高功率密度的电力转换架构，如大功率开关电源、高压直流变换模块及可再生能源发电系统中的逆变与整流单元，满足对能效、可靠性和紧凑设计有较高要求的电力电子应用场合。
