SPA11N65C3-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温稳定性、高开关速度和低开关损耗，适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用涵盖高密度电源适配器、大功率开关电源、可再生能源发电系统中的逆变单元及储能系统的功率调节模块。
