CI10S120M3_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压应用场景。其正向导通压降（VF）为1.39V，具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料的优异特性，该器件具备快速开关速度和极短的反向恢复时间，可有效减少开关损耗，支持高频工作模式。典型应用包括高压电源转换系统、大功率开关电源、储能系统中的功率因数校正（PFC）电路以及直流变换模块，适合对热性能、转换效率和空间利用率有较高要求的电力电子设计。
