PCDD0665G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，具有6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有助于降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关性能和较低的反向恢复电荷，可在较高结温下稳定工作。典型应用涵盖高效开关电源、高密度DC-DC转换模块、可再生能源发电系统的逆变单元以及对热管理要求较高的嵌入式电力电子装置。
