E3D08065G-TR-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关速度和高温工作能力，适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及高密度电源模块等场景，可有效改善电路的热管理表现与整体效率。
