YJD112010FQG2_TO-220F-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.39V。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关特性与较低的反向恢复损耗，可有效提升系统效率。其高耐压与较强热稳定性使其适用于高功率密度的电源转换场景，如大功率开关电源、不间断电源系统及可再生能源逆变装置。器件在高温环境下仍能保持可靠性能，适合对能效和空间布局有较高要求的电路设计。
