IPD80R280P7ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:14.3A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:230mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和14.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻为230mΩ，适用于高电压、高效率的开关应用。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，显著提升器件的耐压能力与开关速度，同时降低导通与开关损耗。其特性适合用于高压电源转换、可再生能源发电系统、不间断电源（UPS）以及高功率密度DC-DC变换器等场景，尤其在需要提升能效和热管理性能的系统中表现出色。
