GC210N80FE-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:13.3A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:200mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源耐压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻为200mΩ，适用于高电压与高效率的电力转换场景。栅源电压范围为-4V至!8V，支持可靠的栅极驱动与器件保护。基于碳化硅半导体材料，具备优异的开关特性、耐高温性能及低损耗优势。可广泛应用于高压电源模块、可再生能源逆变装置、储能系统中的功率变换电路以及高密度开关电源设计，有助于提升系统整体能效与功率密度。
