SICR10650-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高频开关能力和高温工作稳定性，适用于高密度电源转换设计。广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变系统及高功率密度DC-DC转换器中，满足对热性能和电气性能要求严苛的应用场景。
