PCDP0865G1_T0_00001_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.38V。其基于碳化硅材料的特性，在高频开关应用中表现出优异的导通性能和较低的能量损耗。器件具有快速恢复能力，适用于高效率电源转换系统，如开关模式电源、光伏逆变器及高密度功率模块。较高的反向耐压和稳定的热性能使其在紧凑型设计中可实现可靠的能量管理，满足对功率密度和效率有较高要求的电路需求。
