VS3C08ET07T-M3_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-220C-2L 类别:碳化硅二极管 最小包装:50/管装 参数1:IF:8A 参数2:VR:650V 参数3:VF:1.38V 参数4:二极管配置:独立式 标价:欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为单体结构,额定正向电流(IF)为8A,反向重复电压(VR)达650V,适用于中等功率电力转换电路。其正向导通压降(VF)低至1.38V,在高频开关条件下可显著降低导通损耗,提升整体能效。得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性,器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置,适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。
