G2R50MT33K_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:3300V 参数3：RDON:50mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为高性能碳化硅（SiC）N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备高电流承载能力和优异的导热性能。其漏极电流ID可达50A，漏源击穿电压VDSS高达3300V，导通电阻RDON低至50mΩ，确保在高电压和高频率工作条件下仍能保持较低的导通损耗与开关损耗。适用于高效能电源转换系统、可再生能源设备、智能电网及高密度电力电子装置中，为复杂工况下的稳定运行提供可靠支持。
