AS1M040120T_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用高性能碳化硅半导体技术，具备优异的导电效率与低损耗特性。器件最大漏极电流ID可达60A，导通电阻RD(ON)低至40mΩ，支持高电流密度与高效率功率转换。适用于高功率开关电源、高效逆变系统、储能设备及高频电力电子装置等多种应用环境。器件具备良好的热管理能力与长期工作稳定性，可满足复杂电路对高性能功率器件的需求。
