P3D06006G2_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.36V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关速度与高温度稳定性，反向漏电流小，有助于提升系统转换效率并降低散热需求。其封装设计利于散热与电路集成，适用于高频率、高效率的电源转换场景，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等，能够在严苛环境下稳定工作，提升整体系统可靠性。
