IPP65R190C6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围-5V至!6V，支持稳定的驱动控制与过压保护。依托碳化硅材料的高临界电场和热导率特性，该器件具备优异的高温工作稳定性与高频开关能力，适用于高功率密度的电源系统，如高效AC-DC电源、DC-DC变换器及光伏逆变模块，满足对能效与散热性能要求较高的电力电子设计需求。
