STF20NM65N-Y11-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，具备良好的栅极控制特性与开关稳定性。采用宽禁带半导体材料，可实现高频工作、降低开关损耗，并提升系统热性能。典型应用于高密度电源、可再生能源逆变系统、服务器电源模块及高功率密度适配器等场景，适合对能效和空间利用率有较高要求的电路架构。
