R6515ENXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，在高温与高电压工况下仍能保持优异的导通性能。栅源电压范围-5V至!6V，支持标准驱动电路兼容。基于碳化硅材料的特性，器件具备低开关损耗、高工作频率和良好热稳定性，适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、直流变换模块、可再生能源发电逆变装置及高功率密度电源单元，有助于提升系统能效并减少散热需求。
