MSJPF20N65A-BP-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至!6V范围，确保器件在驱动电路中的稳定开通与关断。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关特性、耐高温性能和较低的开关损耗。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、储能系统逆变单元及高密度电源模块，可提升系统整体能效和功率密度。
