FCPF11N65-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，在高温与高电压工作环境下仍能保持良好性能。栅源电压范围-5V至!6V，支持稳定栅极驱动控制。碳化硅材料的应用显著提升了器件的开关速度与耐热性，有助于减小系统能量损耗。适用于高效率电源转换设备、不间断电源系统、太阳能逆变模块及紧凑型高频功率电路设计，满足对功率密度与长期可靠性要求较高的应用场景。
