SIHF15N65E-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温工作性能、高开关频率能力与低开关损耗，适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、光伏逆变单元、储能系统中的DC-AC变换模块以及高密度DC-DC转换电路，能够满足对功率密度与能效要求较高的应用场景。
