GC4D20120A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.45V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，额定正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.45V。基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和快速开关特性，反向恢复损耗极低。适用于高效率要求的电力转换系统，如大功率开关电源、不间断电源、可再生能源发电逆变装置及高密度电源模块。其高耐压与低导通损耗特性有助于提升系统整体能效，支持高频工作模式，有助于减小外围元件体积，满足对功率密度和热管理有严格要求的应用场景。
