TRS8V65H,LQ_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.3V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.3V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关响应与高热稳定性，反向恢复时间极短，有效降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换场景，如开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器及高密度电源模块，能够在较宽的温度范围内稳定运行，提升系统整体能效与可靠性。
