B1D10065K_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定正向电流（IF）为10A，反向耐压（VR）达650V，具备较高的电压裕度和电流承载能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.38V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有快速反向恢复能力，可有效减少开关过程中的能量损耗，适用于高频、高效率的电源转换电路，如大功率开关电源、储能系统中的整流模块以及高性能逆变装置。
