TRS6V65H,LQ_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：碳化硅二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.32V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降（VF）为1.32V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗。得益于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的高温稳定性和快速反向恢复能力，可有效提升系统效率并减少散热需求。主要应用于高效开关电源、光伏逆变装置、储能系统能量转换模块以及高频率DC-DC变换器，适合在空间受限且对热性能和能效有较高要求的电路设计中作为关键整流元件使用。
