PCDP2065GB_T0_00601_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有助于降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的开关性能，反向恢复时间短，可显著减少开关过程中的能量损耗与电压应力。支持高频工作模式，适用于高效开关电源、通信电源模块、光伏并网逆变器以及高密度电源转换装置中的整流与续流应用。器件热稳定性好，可在较高环境温度下持续运行，满足对能效与功率密度有较高要求的系统设计需求。
