IV2D12020T2_TO-247-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复耐压（VR）达1200V，适用于高电压、大电流的电力转换环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在高负载条件下可有效减少导通损耗。基于碳化硅材料的物理特性，该器件具备优异的高温稳定性与极快的开关速度，反向恢复时间短，漏电流低。常用于高效率电源系统，如大功率开关电源、可再生能源发电逆变装置、储能系统功率转换级及高功率密度DC-DC变换器，有助于提升系统能效并支持高频化设计。
