CI15S120M3_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:15A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.5V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）达15A，反向重复电压（VR）为1200V，适用于较高电压与电流的工作环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.5V，结合碳化硅材料的低开关损耗特性，有助于提升系统能效。器件具备出色的高温工作稳定性与快速反向恢复能力，可有效减少高频开关过程中的能量损耗。主要应用于大功率电源转换系统，如高效服务器电源、储能系统逆变器、高性能DC-DC变换器、通信基站供电单元及可再生能源发电设备中的功率整流与续流环节。
