AOTF25S65_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至!6V，兼容主流驱动电路设计。依托碳化硅材料优势，器件具有出色的耐高温性能、快速开关能力以及较低的开关损耗，适用于高频率工作的拓扑结构。典型应用包括高效能电源转换模块、不间断电源系统、光伏逆变装置、数据中心电源及高功率密度变换器等场合。
