IPD65R250E6XTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，具备良好的栅极可靠性与开关特性。基于碳化硅材料的特性，该器件可在高频、高温环境下稳定工作，适用于高密度电源系统、可再生能源逆变装置、服务器电源模块及高要求的开关电源拓扑，如图腾柱PFC和LLC谐振转换器，有助于提升系统整体能效与功率密度。
