PCDP1065G1_T0_00001_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.38V。采用碳化硅材料，具有优异的高频开关特性和低导通损耗，反向恢复时间极短，可显著提升系统能效。适用于高功率密度的开关电源、直流变换器及光伏能量转换系统。其良好的热稳定性与耐压能力，支持在紧凑型电路设计中实现高效的能量传输与转换，满足对效率和可靠性要求较高的电力电子应用需求。
