IPA80R280P7XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:13.3A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:200mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至200mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至!8V，确保可靠的栅极控制与器件保护。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的开关性能和高温工作能力，可有效降低系统能量损耗。典型应用包括高功率密度电源、直流电压变换模块以及要求严苛的电力电子变换装置，适合对热管理和电气效率有高要求的场景。
