R6520ENXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的高开关速度与耐高温特性，该器件适用于高频率、高效率的电力电子应用，如高压DC-DC转换器、不间断电源、可再生能源发电中的逆变电路以及高功率密度电源系统，有助于实现更紧凑的设计与更高的能量转换效率。
