IPA60R120P7-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:24A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:110mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，支持-4V至!8V的栅源电压范围。器件利用碳化硅材料的高临界电场特性，具备优异的开关速度与高温工作稳定性。相比传统硅基器件，其开关损耗显著降低，适用于高频率、高效率的功率转换电路。典型应用场景包括大功率开关电源、高效DC-DC变换器、储能系统中的逆变单元及高密度电源模块，有助于提升系统能效与功率密度。
