PCDB0865G1_R2_00001_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款碳化硅二极管为独立式单管结构，具备8A的平均正向整流电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率应用。其正向压降（VF）典型值为1.42V，结合碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，显著降低开关过程中的能量损耗。器件具有良好的热导率和耐高温能力，可在较高环境温度下稳定运行。典型应用场景包括高效能电源转换器、可再生能源发电系统、储能设备中的整流与续流单元，以及对能效和空间密度要求较高的电力电子装置。
