R6530ENXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:24A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:110mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至!8V，具备良好的栅极可靠性与开关稳定性。基于碳化硅材料特性，器件支持高频工作，同时降低开关损耗与热耗散。典型应用于高效开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变系统及高密度电源模块，适合对功率密度与能效有较高要求的场景。
