SPA20N65C3XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，具备良好的开关特性和热稳定性。得益于碳化硅材料的优异特性，该器件可在高频、高温及高压环境下可靠运行，广泛应用于高效电源变换器、可再生能源逆变系统及高密度电源模块中，有助于提升系统整体能效并减小体积。
