P3D06006E2_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:6A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.36V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中高压功率转换应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，该器件支持高频开关操作，同时减少反向恢复损耗。典型应用包括高效开关电源、不间断电源系统、光伏逆变器中的整流模块以及高功率密度电源适配器，适合对热性能、转换效率和长期运行可靠性有较高要求的电力电子电路设计。
