FCPF250N65S3R0L-F154-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了稳定的开关控制与良好的抗干扰能力。得益于碳化硅材料的优异特性，该器件具有出色的耐高温性能和开关特性，可应用于高密度电源、可再生能源逆变系统及高频率DC-DC转换器中，有效降低系统功耗并提升整体能效水平。
