IPA65R190E6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可减少导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐高温性能和高频开关能力，适用于高效率的功率变换拓扑，如PFC电路、DC-DC转换器及逆变电源，能够满足对系统效率、功率密度和热管理有较高要求的应用需求。
