B1D10065F_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.51V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于中高功率密度的电力转换设计。其正向导通压降（VF）为1.51V，结合碳化硅材料的低反向恢复电荷特性，可显著降低导通与开关损耗。器件具备优异的高温稳定性和热导性能，支持高频、高效运行，适用于服务器电源、通信基站供电系统、储能逆变单元及高效率开关电源模块等场景，能够在较宽温度范围内维持可靠电气性能，满足对能效与散热要求较高的电子电力应用需求。
