GC4D12120A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:1200V 参数3：VF:1.39V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.39V。基于碳化硅材料，器件具有优异的耐高压特性和低导通损耗，支持高频开关操作。其独立封装结构适用于高电压、高效率的电力转换应用，如开关模式电源、高压直流输电模块、可再生能源发电系统中的整流单元，以及对热稳定性要求较高的紧凑型电源设计，有助于提升系统整体能效。
