PCDD0865G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定平均正向整流电流为8A，最高可承受650V反向重复峰值电压，正向导通压降为1.4V。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具备优异的高温工作能力与高热导性能，同时实现快速反向恢复与低导通损耗。其电气特性适合应用于高效率直流-直流转换器、不间断电源模块及高密度电源适配器中，尤其在高频开关环境下可显著降低能量损耗，提升系统整体能效与可靠性，适用于对空间布局与散热设计有较高要求的先进电力电子装置。
