PCDP0865GB_T0_00601_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，具备出色的开关速度和高温工作能力，适用于要求严苛的电力转换环境。典型应用场景包括高效开关电源、高频率DC-DC变换器及要求紧凑设计的电源模块，适合对热管理和空间布局有较高要求的系统集成方案。
